申報項目：

α-BBO晶體

α-BBO晶體是一種性能優異的雙折射材料，主要用于制作格蘭棱鏡、偏振分束器、光隔離器等。

產品主要技術指標描述

毛坯尺寸≥Φ55×45mm³，波前畸變≤λ/8@632.8nm，體吸收≤20ppm/cm@1064nm。

產品特點

本產品在190-3500nm的寬透過范圍內具有較大的雙折射，具有高損傷閾值和穩定的物理化學特性，同時具有內部缺陷少，波前畸變小，體吸收小的特點，是新一代高功率磁光隔離器的關鍵核心元件。

產品創新

公司擁有省級企業技術中心，中心擁有研究開發人員197人，其中碩士研究生25人，本科生124人。公司每年投入銷售收入10%左右用于研發中心建設。公司組建的α-BBO晶體項目團隊在提拉法晶體生長方面具有相當豐富的實戰經驗，先后成功研發過各種激光晶體和磁光晶體，如摻雜CALGO晶體、摻雜CaF2晶體、摻雜KGW晶體、摻雜KYW晶體、TGG晶體、TSAG晶體等。依托這個強大的研發項目團隊，公司成功開發出性能更加優異的a-BBO晶體的生長工藝，并實現量產。產品創新點如下：

1、通過特殊的離子摻雜，保證晶體結構穩定的同時，改善了內部應力，減少了晶體加工過程中的開裂。

α-BBO晶體在925℃時會發生相變，轉化為β-BBO晶體，結構的改變，會產生較大的結構應力，會導致晶體嚴重開裂，項目團隊對α-BBO原料進行特殊的離子摻雜，使得α-BBO晶體從高溫降至低溫的情況下不發生相變，仍然保持α相晶體結構，從而避免了因結構變化而導致的晶體嚴重開裂現象。另一方面，由于晶體高溫生長，內部不可避免存在熱應力，在后續的切割拋光等加工過程容易導致開裂，摻雜離子的加入，有效改善了內部的熱應力，極大減少了后續加工過程中發生的開裂現象，對于提高成品率、降低成本起到了巨大的貢獻作用。

2、通過精確的自動提拉控制，結合各個工藝參數的優化，使得晶體內部缺陷極少，光學均勻性高，從而使晶體具備體吸收小、波前畸變小的特點。?

完美的晶體需要各個生長工藝參數的最佳組合，項目團隊利用DOE實驗設計，對生長溫場、提速、拉速的不同組合進行大量研究，最終確定一套不同工藝參數最優組合的自動法提拉控制工藝，生長出內部缺陷極少的α-BBO晶體，通過對其性能測試，顯示其均勻性高、吸收小、波前畸變小的特點，完全滿足其作為雙折射晶體器件的高功率應用要求。

市場情況

隨著激光器不斷快速地朝著更高輸出功率方向發展，常規磁光器件中使用的YVO4晶體因為較高的體吸收造成的熱透鏡效應已經成為一個難以忽視的瓶頸。α-BBO極低的體吸收水平以及較高的雙折射率使其在高功率應用領域中成為了炙手可熱的晶體材料。國內能夠批量提供α-BBO晶體及器件的廠家屈指可數，福晶科技以高質量、低成本的較大優勢，牢牢掌握著國內外α-BBO晶體及器件市場的主動權，同時以優質的售后服務，獲得了客戶的青睞和信任。